碳化硅厂 228亿元！三安光电与意法半导体拟在重庆合建碳

图/三安光电

6月7日晚间，三安光电（600703）与意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）联合宣布，双方已签署协议，拟在中国重庆共同建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造工厂。

公告显示，该合资项目公司注册资本为6.12亿美元（约合人民币43.6亿元），将由三安光电控股，暂定名为“三安意法半导体（重庆）有限公司”，其中由三安光电全资子公司湖南三安持股51%，意法半导体（中国）投资有限公司持股49%，均以货币资金分期出资，主要从事碳化硅外延、芯片生产。

合资工厂预计投资总额达32亿美元（约合人民币228亿元），在取得各项手续批复后开始建设，2025年完成阶段性建设并逐步投产，2028年达产，规划达产后生产8英寸碳化硅晶圆10000片/周。

该合资厂将采用ST的SiC专利制造工艺技术，专注于为ST生产SiC器件，作为ST的专用晶圆代工厂以满足其中国客户的需求。

意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示：“中国的汽车和工业领域正在朝着电气化全速前进，在这个市场上，ST已经成功拿下了许多客户项目。对ST来说，与中国本地的重要合作伙伴一起成立一个专门的晶圆厂，这将帮助我们以最高效的方式满足中国客户不断增长的需求。将三安光电未来的8英寸衬底制造厂、双方新成立的前端合资制造厂、以及ST在中国深圳现有的后端制造厂相结合，ST将有能力为我们的中国客户提供一个完全垂直整合的SiC价值链。此举将成为继ST在意大利和新加坡的持续重大投资外碳化硅厂，进一步扩大其全球SiC制造业务的重要一步。新合资厂将助力ST实现到2030年取得50亿美元以上SiC营收这一目标。这一举措也与ST在2025-2027年实现200亿美元以上的营收目标以及我们之前向资本市场传达的相关财务模式相契合。”

此外，三安光电还将在重庆独资建立一个8英寸碳化硅衬底工厂作为配套。该项目预计投资总额70亿元人民币碳化硅厂，将根据项目建设进度陆续投入。该项目注册资本为18亿元人民币，湖南三安以自有资金分期缴纳出资，首期出资5-10亿元人民币。项目达产后，规划生产8吋碳化硅衬底48万片/年。

资料显示，碳化硅功率器件应用领域广泛，新能源汽车是碳化硅功率器件主要应用市场之一，也是产业近年来的核心增长引擎。

三安光电主要从事化合物半导体材料与器件的研发、生产及销售，以氮化镓、砷化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等化合物半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。公司产品广泛应用于照明、显示、背光、Mini/Micro、红外感测、植物照明、高铁、新能源汽车、5G、智能移动终端、3D识别、云计算、通讯基站、光伏逆变器等领域。

三安光电在2022年年报中披露，湖南三安作为国内为数不多的碳化硅垂直产业链制造平台，产业链包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装，碳化硅产能已达12,000片/月，硅基氮化镓产能2,000片/月，湖南三安二期工程将于2023年贯通，达产后配套年产能将达到36万片。得益于光伏、储能、新能源汽车等下游市场渗透率的提升，碳化硅产品备受市场青睐。2022年，湖南三安实现销售收入6.39亿元，同比增长909.48%。

三安光电还提到，公司车规级1200V 16mΩ MOSFET芯片已在战略客户处进行模块验证，预计于2024年正式上车量产。湖南三安与理想合资成立苏州斯科半导体，规划年产240万只碳化硅半桥功率模块，目前该项目基础建设已完成，设备正陆续入厂，已进入安装调试阶段，待产线通线后进入试生产。碳化硅MOSFET代工业务已与龙头新能源汽车及配套企业展开合作，与某知名车企签署芯片战略采购意向协议总金额达38亿元，另一重要客户订单金额19亿元（不含税），截至目前，已签署的碳化硅MOSFET长期采购协议总金额超70亿元，另有几家新能源汽车客户的合作意向在跟进。

市场前景方面，中国是全球最大的电动汽车市场，随着碳化硅产能扩张出量，成本有效降低，碳化硅功率器件有望逐步从高端车型下放至中低端车型，势必加速其在新能源汽车领域的渗透率，全球碳化硅功率器件产业迎来巨大发展机遇。研究机构CASAResearch数据显示，2022年我国第三代半导体功率电子在电动汽车及充电桩市场规模约为68.5亿元，预计到2026年将增长至245亿元，年均增速接近37.5%，是未来几年第三代半导体功率电子市场增长的主要驱动力。

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